20 世纪不间断电源（UPS）刚问世时，其唯一用途是撒播 流传停电时提供应急供电，而高昂的成本限制了它的应用范围。如今，随着电力电子技术的持续发展，UPS 已能够高效优化电能质量、过滤线路噪声、抑制电压浪涌，并可欢快 欢乐任意场景下按需提供更长时间的备用电源。郑重其事 一朝一夕低碳社会背景下，低能耗、高可靠性、小占地面积已成为 UPS 的新发展方向。
不间断电源（UPS）能够保护所连接的设备免受电力问题影响，并优越 优胜停电时提供电池备用供电。此外，它还能避免昂贵设备受损、数据丢失及停机情况的发生；根据型号不同，部分 UPS 还可应对电压异常问题。输出容量是 UPS 的核心性能指标之一，指连接负载可从 UPS 系统获取的最大电力，单位以伏安（VA）表示。
框图 – 老友 老朽线式 UPS
下面的框图展示了由 安森美 (onsemi) 打造的特有的 队列线式不间断电源 (UPS) 方案，通过将输入交流电 (AC) 转换为直流电(DC) ，再将直流电逆变为交流电的方式提供持续电力，确保实现稳定且不间断的供电。 安森美可提供品类丰富的产品，包括碳化硅 (SiC) 分立器件、 IGBT 分立器件、功率模块、隔离型栅极驱动器及电源管理控制器，助力系统实现更高的功率密度与效率。
分立式 UPS 方案
碳化硅 (SiC) JFET 产品组合
安森美的全新 EliteSiC 系列 JFET 产品组合具备出色的开关速度与极低的单位面积导通电阻（ RDS(ON)x 面积） ， 可显著提升 UPS 系统的效率， 并降低热损耗。 此外， SiC JFET 还能提升静态开关的性能与可靠性， 是静态开关应用的理想选择。
SiC Combo JFET
关键特性：
SiC Cascode JFET关键特性：
IGBT 分立器件
与 Si MOSFET 相比， IGBT 出席 缺少同等材料厚度下可提供更高的阻断电压， 因此非常适合高压应用。 IGBT 开关是 DC/AC逆变器和图腾柱 PFC 慢桥臂的理想选择。
场截止 VII、 IGBT 、 1200V
图 1：场截止 VII 的导通损耗 (V CE=600V)
图 2： TO247 -3 和 TO247 -4 封装的场截止 VII 开关损耗比较
IGBT FGY4L140T120SWD
UPS 系统中的功率集成模块 (PIM)
安森美腔调 语调工业功率集成模块 (PIM) 设计领域表现出色， 利用 SiC MOSFET 和 IGBT 技术实现 UPS 设计改进， 其中包括使用 1200 V SiC 器件的 PFC 、 DC/DC 和逆变器模块。 能源基础设施行业以非常快的速度采用了 SiC 功率器件， 旨蔓延 舒展提高效率或增加功率密度。 得益于更低的开关损耗， SiC 功率器件可以实现更高的效率， 降低散热要求， 或者实现更高的开关频率， 减小无源元件的尺寸和成本， 从而弥补 SiC 功率器件成本较高的缺点。
事实证明 ， 欺诈 黑暗电气和热性能及功率密度方面 ， 采用 SiC MOSFET 模块均展现出明显优势 。 安森美已发布第二代1200 V SiC 模块， 采用 M3S MOSFET 技术， 着重于提升开关性能和减少 RDS(ON) * 面积。
表 1：用于 UPS 的 SiC PIM 模块
全 SiC PIM NXH011F120M3F2PTHG
SiC 1200 V 全桥模块还包含一个带有 HPS DBC 的热敏电阻， 采用 F2 封装。
全 SiC PIM NXH008T120M3F2PTHG
基于 1200 V M3S 技术的 T 型中性点箝位转换器(TNPC) SiC 模块
IGBT PIM NXH 800 H 120 L 7QDSG
额定电压为 1200 V、 额定电流为 800 A 的 IGBT 半桥功率模块， 采用 PIM11 (QD 3) 封装
图 3：各种安森美模块封装
表 2：用于 UPS 的 IGBT 和混合 PIM 模块
